Содержание
1.1.Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой под-ложке.
В курсовой работе необходимо выполнить:
1) Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры.
2) Построение стоковой и стоко-затворной характеристики.
3) Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки.
4) Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала.
1.2.Исходные данные:
1)концентрация примеси N=3,5*1015 См-2;
2)тип подожки n;
3)ширина канала Z=5,8 мкм;
4)толщина канала L=1,1 мкм;
5)толщина оксидного слоя Xокс=0,15 мкм;
6)плотность заряда Qss=8*10-8 Кл/м2;
7)поверхностный заряд на границе Qss=1,6*10-8 Кл/см2.
