Помощь студентам, абитуриентам и школьникам.

Консультации и учебные материалы для разработки диссертации, дипломной работы ,курсовой работы, контрольной работы, реферата, отчета по практике, чертежа, эссе и любого другого вида студенческих работ.

Оперативная помощь в написании работы

Пример: Курсовая работа
Разработка ГИС


ВУЗ, город:

ДНУ

Предмет: Электроника

Курсовая работа по теме:

Разработка ГИС

Страниц: 20

Автор: Ляшенко Сергей

1999 год

5 52
RUR 1490
Внимание!
Это только выдержка из работы

Рекомендуем посмотреть похожие работы:

  1. Создание учебной ГИС "Сток биогенных элементов с характерных водосборов российской части Финского залива" (Дипломная работа, 2010)

    ... естественной внутригодовой изменчивости содержания биогенных элементов в речном стоке, на которую уже « ... стока биогенных элементов на водосборе 1.1 Характеристики водосборов рек Водосборы рек : Кунья, Сороть, Шарья, Воложба, Видлица. Бассейн ...

  2. Прогнозирование основных показателей разработки УКПГ-8 ОНГКМ в период падающей добычи (Курсовая работа, 2011)

    ... массивному обводнению скважин. С таким высоким темпом отбора и годовой добычей 4,0 млрд. мз. УКПГ-8 ... .01.2003 года годовая добыча воды составляет 15,69 тыс. мз при суточной добычи воды 61 мз/сут. Балансовые ...

  3. ГОС по специальности «Городской кадастр», МИИГАИК (Шпаргалка, 2011)

    ... земель на современном этапе. Межевание земель представляет собой комплекс работ по ... залог земельного участка. Цена земли договорная- фиксируемая в договоре купли-продажи цена земли, ... уменьшено при изображении на карте. Карты масштабов 1:10 000 ...

  4. Организация управления по охране окружающей среды на примере г. Москвы (Дипломная работа, 2007)

    ... экологически сбалансированное развитие экономики и социальной сферы ... зарубежных ученых в области экологии, экологического менеджмента, экономического и ... охраны окружающей среды зависит решение вопроса о выживании, сохранение здоровья людей ...

  5. Навигация по карте города (Дипломная работа, 2009)

    ... . 2. Разработать функциональную модель существующей системы. 3. Анализ существующей системы и разработка модели деятельности после внедрения автоматизированной системы. 4. Анализ ...

  6. Применение GPS приемников в создании и ведении земельного кадастра в ***ом районе ***ой области (Дипломная работа, 2007)

    ... государственного земельного кадастра являтся обя-зательным при разрешении межевых споров, определении платежей за землю ... района Астраханской области все выше-указанные задачи по ведению земельного кадастра ... . Весь комплекс работ на этих предприятиях ...

  7. Развитие информационных ресурсов Российской Федерации (Дипломная работа, 2008)

    ... безопасности: ежегодно 75% предприятий малого и среднего бизнеса испытывают атаку хотя бы одного вируса. Черви и вирусы ... сети Cisco Self-Defending Network. Сеть Cisco (Self-Defending Network, SDN) - это долгосрочная стратегия компании по защите бизнес ...

Содержание

Разрабатываемая ИС должна соответствовать общим технологическим требованиям.

Исходные требования:

Максимальная рабочая температура +70С

Минимальная рабочая температура -20С

Время работы ИС 100004

Коэффициент нагрузки резисторов 0.7

Ширина формирующей щели 90 мкм

Минимальная ширина формирующей щели 6 мкм

Погрешность ширины формирующей щели 5%

Рабочая разность потенциалов на С 10 В

Площадь обкладок конденсаторов, не менее 1 мм2

Погрешность задания линейного размера обкладок 5%

Значения номиналов: R1=25 kOm 10%; R2=R3=10 kOm 10%;

R4=58 kOm 1%; C1=500 пФ 20%; С2=750 пФ 20%

Выдержка

Элементы плёночной технологии.

Пассивные элементы гибридных ИМС создаются из тонких плёнок проводящих, резистивных и диэлектрических материалов нанесённых на поверхность подложки.

Достоинством плёночных микросхем является возможность изготовления пассивных элементов в широком диапазоне номиналов с минимальными допусками и лучшими, чем у полупроводниковых схем диэлектрическими характеристиками. Конструктивное использование плёночных ИМС позволяет реализовать мощные (100Вт) электрические схемы, работающих при больших значениях напряжения. Процесс изготовления гибридных плёночных ИМС осложняется тем, что активные элементы выполняются в виде навесных бескорпусных транзисторов, диодов и т. д. Габаритные размеры подложек стандартизированы. На стандартизированной подложке групповым методом изготавливается несколько плат ГИС.

В качестве материалов тонкоплёночных проводников применяется Al, Cu, Ti, Tl, Ag.

Резистивные слои образуют плёнки хрома, нихрома Х20Н80, тантала, титана, Re и т. д. Диэлектрические слои тонкоплёночных ИМС получают, осаждением моноокиси кремния SiO и германия GeO, двуокисей SiO2 и GeO2, окислов Al2O2; Ta2O5; Nb2O5.

Существует несколько способов получения тонких плёнок:

1. Электрическое осаждение;

2. Химическое осаждение;

3. Осаждение пиролитическим разложением;

4. Оплавление порошка стеклообразного материала;

5. Термовакуумное осаждение плёнок;

6. Катодное и ионно-плазменное распыление.

2. ТЕОРИТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

2.1. Конструктивно-технологические особенности и основные параметры плёночных резисторов.

Плёночные резисторы являются наиболее распространёнными элементами ИМС.

Плёночные резисторы в структурном отношении представляют собой узкую полоску резистивной плёнки, снабжённую плёночными контактными площадками с низким сопротивлением.

Параметры плёночных резисторов зависят от материала резистивной плёнки, способа получения необходимой конфигурации и других технологических факторов.

Наиболее распространённой является конструкция резисторов прямоугольной формы (Рис 2.1), как наиболее простая в конструктивном и технологическом отношении.

Рис 2.1

Конструкция прямоугольного тонкоплёночного резистора.

1 — резистивная плёнка;

2 — плёночный проводник;

3 — области контактов.

Значение сопротивления плёночного резистора определяют по формуле:

R = 0L/S+2Rk (2.1)

Для высокоомных резисторов, когда сопротивление областей контактов значительно меньше сопротивления резистивной плёнки:

R = L/S = 0L/(b*d) (2.1a)

где 0 — удельное объёмное сопротивление резистивного материала;

L, b, d — длина, ширина, и толщина резистивной плёнки;

Rk -переходное сопротивление областей контактов резистивной и проводящей плёнок;

В технологии микроэлектроники для каждого материала отношение 0K=S — величина постоянная. Условно S определяет как удельное поверхностное сопротивление квадратной резистивной плёнки, не зависящей от размеров квадрата и оценивают в Ом/.

При этом сопротивление определяют по формуле:

R = S1/b = SKФ (2.2)

где Кф=1/b — коэффициент формы резистора.

Для прямоугольных резисторов максимальная длина по технологическим соображениям ограничена величиной Кф=10. Для реализации резисторов с Кф>10 используют конструкции сложной конфигурации:

а) в виде отдельных резистивных полосок; б) типа «меандр».

2.2. Конструктивно-технологические особенности и основные параметры плёночных конденсаторов.

В гибридных ИМС применяют тонко- и толстоплёночные конденсаторы с простой прямоугольной и сложной формами. Плёночный конденсатор представляет собой многослойную структуру, нанесённую на диэлектрическую подложку. Для её получения на подложку наносят последовательно три слоя:.

1 — проводящий, выполняет роль нижней обкладки;

2 — слой диэлектрика;

3 — проводящий, выполняющий роль верхней обкладки конденсатора.

Значение ёмкости плёночного конденсатора определяют по формуле:

С = ξ ξ0 S/4πd =0.885 ξ S/d (2.3)

где ξ — относительная диэлектрическая проницаемость материала диэлектрика;

S — площадь перекрытия диэлектрика обкладками;

d — толщина диэлектрика.

Список использованной литературы

1. Берцин А С., Мочалкин О.Р., Технология и конструирование ИМС, — М.: Радио и связь, 1983.

2. Ермолаев Ю.П., Понаморёв, Конструкции и технология микросхем (ГИС и СБИС): Учебник для ВУЗов. М.: Сов. Радио. 1980.

3. Васильев К.Ю., Гиленко В.Т., Овсянников В.В. Плёночная технология.: — Днепропетровск: ДГУ, 1985.

4. Понаморёв М.Ф.: Конструирование и расчёт микросхем и микроэлемен-тов ЭВА. М.: Радио и связь, 1989.

5. Присухин Л.Н., Шахнов В.А. Конструирование вычислительных машин и систем. М.: В.Ш., 1986.

6. Ушаков Н.И. Технология производства ЭВМ. Учебник для ВУЗов, 3 изд. М.: В.Ш., 1991.

4 48
RUR 1490

Книги для самоподготовки по теме "Разработка ГИС" - Курсовая работа

ЭЛЕКТРОНИКА. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. Россия и другие страны СНГ (том 12)
ЭЛЕКТРОНИКА. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. Россия и другие страны СНГ (том 12)

ISBN 1418754099,9781418754099

Желтые страницы Internet'98 : русские ресурсы
Желтые страницы Internet'98 : русские ресурсы
1998

ISBN

Реферативный журнал
Реферативный журнал
1994

ISBN

Желтые страницы Интернет ...
Желтые страницы Интернет ...
2013

ISBN

Квантовая электроника
Квантовая электроника
1969

ISBN

Радиотехника и электроника
Радиотехника и электроника
1985

ISBN







Карта : А Б В Г Д Е Ё Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Наверх