Помощь студентам, абитуриентам и школьникам.

Консультации и учебные материалы для разработки диссертации, дипломной работы ,курсовой работы, контрольной работы, реферата, отчета по практике, чертежа, эссе и любого другого вида студенческих работ.

Оперативная помощь в написании работы

Пример: Курсовая работа
Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом


ВУЗ, город:

ДНУ

Предмет: Электроника

Курсовая работа по теме:

Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом

Страниц: 11

Автор: Ляшенко Сергей

1999 год

4 5
RUR 1490
Внимание!
Это только выдержка из работы

Рекомендуем посмотреть похожие работы:

  1. Устройство и принцип работы МДП-транзисторов с индуцированным каналом (Шпаргалка, 2011)

    ... проводимости с диэлектриком для образования канала дырочной проводимости необходимо к затвору приложить отрицательное напряжение. Это напряжение, ... используется в качестве затвора, управляющего током стока, аналогично затвору полевого транзистора с p- ...

  2. Таймер (Курсовая работа, 2007)

    ... схему таймера повышенной точности (погрешность – не более 0,1 секунды) на диапазон временных интервалов ... режим работы – программируемый [2]). Аналоговые интегральные таймеры по сравнению с цифровыми обладают менее сложной структурой (меньшее ...

  3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОСТАВЩИКОВ ПРЕДПРИЯТИЯ (НА ПРИМЕРЕ .. (Курсовая работа, 2008)

    ... которого приходится 11,2 % отгружаемой продукции предприятия. 3. Рынок готовых изделий в корпусах ТО-92, ТО ... в области качества УП Завод Транзистор, выбрана и получит дальнейшее развитие сотрудничества с поставщиками на ...

  4. 3 задания по электронике (Контрольная работа, 2011)

    подробное решение

  5. Информатика и вычислительная техника (часть 2), 20 заданий по 5 тестовых вопроса (Контрольная работа, 2013)

    ... запоминающее устройство. ЗАДАНИЕ №5 . . Вопрос № 1. Базовая система ... Вопрос № 4. Файлом называется: 1) набор байтов; 2) именованная совокупность данных на внешнем носителе информации ... текущей строки; 5) Название текущего столбца. Вопрос ...

  6. РАЗРАБОТКА УСТРОЙСТВА ОХРАННОЙ СИСТЕМЫ («ХИТРОГО» ЗАМКА). (Курсовая работа, 2005)

    ... частности, проектирование печатных плат немыслимо без применения САПР - системы автоматизации проектирования. За ... проектирования (рабочие чертежи, техническое описание и др.). Одной из важных составных частей САПР является машинная графика. САПР ...

  7. Разработка усилителя для радиоприемника (Дипломная работа, 2009)

    ... достигла своей цели. В те годы уровни искажений звукового сигнала в аппаратуре были еще очень высокими, и ... модулю и имела линейную зависимость аргумента (то есть фазы) от частоты | H(ω) | = К, φ(ω) = -T ...

Содержание

1.1. Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой под-ложке.

В курсовой работе необходимо выполнить:

1) Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры.

2) Построение стоковой и стоко-затворной характеристики.

3) Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки.

4) Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала.

1.2. Исходные данные:

1) концентрация примеси N=3,5*1015 См-2;

2) тип подожки n;

3) ширина канала Z=5,8 мкм;

4) толщина канала L=1,1 мкм;

5) толщина оксидного слоя Xокс=0,15 мкм;

6) плотность заряда Qss=8*10-8 Кл/м2;

7) поверхностный заряд на границе Qss=1,6*10-8 Кл/см2.

Выдержка

1. ЗАДАНИЕ.

1.1. Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой подложке.

В курсовой работе необходимо выполнить:

1) Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры.

2) Построение стоковой и стоко-затворной характеристики.

3) Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки.

4) Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала.

1.2. Исходные данные:

1) концентрация примеси N=3,5*1015 См-2;

2) тип подожки n;

3) ширина канала Z=5,8 мкм;

4) толщина канала L=1,1 мкм;

5) толщина оксидного слоя Xокс=0,15 мкм;

6) плотность заряда Qss=8*10-8 Кл/м2;

7) поверхностный заряд на границе Qss=1,6*10-8 Кл/см2.

1.3. Дополнительно будут использоваться следующие справочные данные:

1) тепловой потенциал;

2) собственная концентрация носителей в кремнии ni=1,5*1010см-3;

3) диэлектрическая проницаемость кремния Еап=1,062*10-12 Ф/см;

4) диэлектрическая проницаемость оксида Еок=3,54*10-13 Ф/см;

5) заряд электрона q=1,6*10-19 Кл;

6) работа выхода электрона для алюминия Фм=4,1 эВ;

7) энергия сродства электрона для кремния Х=4,05 эВ;

8) ширина запрещённой зоны для кремния Еg=1,124 эВ.

1.4. Допущения:

1) металл — идеальный проводник;

2) оксидный слой — идеальный диэлектрик, заряды внутри слоя отсутствуют;

3) в расчёте будем пренебрегать поверхностными явлениями на границах металл-оксид и оксид-полупроводник;

4) полупроводник считается идеальным и однородным.

2. РАСЧЁТНАЯ ЧАСТЬ.

2.1. Построение вольт-фарадной характеристики канала.

Ёмкость между затвором и подложкой МОП-структуры будем рассматривать как два последовательно включённых конденсатора.

Один, из которых образуется металлом и границей Si-SiO2, его ёмкость равна const и равна С0.

Другой конденсатор образуется в режиме обеднения и инверсии за счёт наличия обеднённой области. Эта ёмкость не линейна и зависит от ряда параметров.

Общая ёмкость имеет следующую оценку:

— при Uз

— при Uпз

Ёмкость описывается формулой:

 

— при Uпор

— при Uпор

— при Uпор

 

Данные, полученные с помощью ЭВМ, заносятся в таблицу 1.1.:

Таблица 1.1.

U, B -1 -0,5 0 0,5 1 1,5

C0 3,6 2,87 2,55 2,30 2,08 2,09

По данным таблицы строится график на рисунке, приложенном к курсовой работе.

Ёмкость МОП-конденсатора с единичной площадью обкладок определяется по формуле:

Список использованной литературы

1. Л.Рассадо Физическая электроника и микроэлектроника, М. Высшая школа, 1991 г.

2. Маллер Д.Б. Элементы интегральных схем.

3. Агарханян O.П. Основы транзисторной электроники.

4. И.П. Степаненко Основы транзисторов и транзисторных схем, М., Энергия, 1973г.

3 31
RUR 1490






Карта : А Б В Г Д Е Ё Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Наверх